半導體工業使用黑色碳化矽粉末
碳化矽以大約 250 種晶型存在。SiC 的多晶型特徵在於一大類類似的晶體結構，稱為多型。它們是相同化合物的變體，在兩個維度上相同，在第三個維度上不同。因此，它們可以被視為按一定順序堆疊的層。
α碳化矽（α-SiC）是最常見的多晶型物；它在高於 1700 °C 的溫度下形成，具有六方晶體結構（類似於纖鋅礦）。具有閃鋅礦晶體結構（類似於金剛石）的 β 變體 (β-SiC) 在低於 1700 °C 的溫度下形成。直到最近，β 形式的商業用途相對較少，儘管現在人們越來越關注將其用作多相催化劑的載體，因為與 α 形式相比，它具有更高的表面積。
碳化矽規格
| 粒徑 | 粒子分佈 (µm) | |||
| 最大粒徑 | d 03 時的粒徑 | d 50 時的粒徑 | d 94 時的粒徑 | |
| # 240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 58.6 ± 3.0 | ≥ 40.0 |
| # 280 | ≤ 112 | ≤ 87.0 | 49.4 ± 3.0 | ≥ 33.0 |
| # 320 | ≤ 98.0 | ≤ 74.0 | 41.1 ± 2.5 | ≥ 27.0 |
| # 360 | ≤ 86.0 | ≤ 66.0 | 36.1 ± 2.0 | ≥ 23.0 |
| # 400 | ≤ 75.0 | ≤ 58.0 | 30.9 ± 2.0 | ≥ 20.0 |
| # 500 | ≤ 63.0 | ≤ 50.0 | 26.4 ± 2.0 | ≥ 16.0 |
| # 600 | ≤ 53.0 | ≤ 43.0 | 21.1 ± 1.5 | ≥ 13.0 |
| # 700 | ≤ 45.0 | ≤ 37.0 | 17.9 ± 1.3 | ≥ 11.0 |
| # 800 | ≤ 38.0 | ≤ 31.0 | 14.7 ± 1.0 | ≥ 9.00 |
| # 1000 | ≤ 32.0 | ≤ 27.0 | 11.9 ± 1.0 | ≥ 7.00 |
| # 1200 | ≤ 27.0 | ≤ 23.0 | 9.90 ± 0.80 | ≥ 5.50 |
| # 1500 | ≤ 23.0 | ≤ 20.0 | 8.40 ± 0.60 | ≥ 4.50 |
| # 2000 | ≤ 19.0 | ≤ 17.0 | 6.90 ± 0.60 | ≥ 4.00 |
| # 2500 | ≤ 16.0 | ≤ 14.0 | 5.60 ± 0.50 | ≥ 3.00 |
| # 3000 | ≤ 13.0 | ≤ 11.0 | 4.00 ± 0.50 | ≥ 2.00 |
| # 4000 | ≤ 11.0 | ≤ 8.00 | 3.00 ± 0.40 | ≥ 1.30 |
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