Henan SiCheng Green silicon carbide f24 f30 f36 f46 f54
碳化矽（SiC）又稱碳化矽，是一種矽和碳的化合物，化學式為SiC。它作為極其稀有的礦物莫桑石存在於自然界中。合成碳化矽粉末自 1893 年開始大量生產，用作磨料。碳化矽顆粒可以通過燒結結合在一起形成非常堅硬的陶瓷，廣泛用於需要高耐久性的應用，例如汽車製動器、汽車離合器和防彈背心中的陶瓷板。碳化矽的電子應用，例如早期無線電中的發光二極管 (LED) 和檢測器，於 1907 年左右首次展示。SiC 用於在高溫或高壓或兩者兼有的情況下工作的半導體電子設備。Lely法可以生長大的碳化矽單晶；它們可以被切割成被稱為合成莫桑石的寶石。植物材料中含有的 SiO2 可以生產出具有高表面積的碳化矽。
| Particle Size | Particle Distribution (µm) | |||
| Maximum Particle Size | Particle Size at d03 | Particle Size at d50 | Particle Size at d94 | |
| # 240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 58.6 ± 3.0 | ≥ 40.0 |
| # 280 | ≤ 112 | ≤ 87.0 | 49.4 ± 3.0 | ≥ 33.0 |
| # 320 | ≤ 98.0 | ≤ 74.0 | 41.1 ± 2.5 | ≥ 27.0 |
| # 360 | ≤ 86.0 | ≤ 66.0 | 36.1 ± 2.0 | ≥ 23.0 |
| # 400 | ≤ 75.0 | ≤ 58.0 | 30.9 ± 2.0 | ≥ 20.0 |
| # 500 | ≤ 63.0 | ≤ 50.0 | 26.4 ± 2.0 | ≥ 16.0 |
| # 600 | ≤ 53.0 | ≤ 43.0 | 21.1 ± 1.5 | ≥ 13.0 |
| # 700 | ≤ 45.0 | ≤ 37.0 | 17.9 ± 1.3 | ≥ 11.0 |
| # 800 | ≤ 38.0 | ≤ 31.0 | 14.7 ± 1.0 | ≥ 9.00 |
| # 1000 | ≤ 32.0 | ≤ 27.0 | 11.9 ± 1.0 | ≥ 7.00 |
| # 1200 | ≤ 27.0 | ≤ 23.0 | 9.90 ± 0.80 | ≥ 5.50 |
| # 1500 | ≤ 23.0 | ≤ 20.0 | 8.40 ± 0.60 | ≥ 4.50 |
| # 2000 | ≤ 19.0 | ≤ 17.0 | 6.90 ± 0.60 | ≥ 4.00 |
| # 2500 | ≤ 16.0 | ≤ 14.0 | 5.60 ± 0.50 | ≥ 3.00 |
| # 3000 | ≤ 13.0 | ≤ 11.0 | 4.00 ± 0.50 | ≥ 2.00 |
| # 4000 | ≤ 11.0 | ≤ 8.00 | 3.00 ± 0.40 | ≥ 1.30 |
| # 6000 | ≤ 8.00 | ≤ 5.00 | 2.00 ± 0.40 | ≥ 0.80 |
| # 8000 | ≤ 6.00 | ≤ 3.5 | 1.20 ± 0.30 | ≥ 0.60(1) |
| # 10000 | 0.51~0.70 | |||
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